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2023
MOS管的主要電性能參數有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓VGS(th)、漏電流lGSS、lDSS、擊穿...
2023
普賽斯儀表推出SXXB系列高精度數字源表，0.03%測量精度，3A直流電流，為半導體行業提供...
2022
2022年12月28日上午，我司與廣電計量檢測（武漢）有限公司（以下簡稱：廣電計量）共建...
2022
CP系列脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設...
2022
隨著III-V族新型半導體材料的快速發展與創新應用，針對氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和其...
2022
電流電壓（I-V）測試和電容電壓（C-V）測試是表征二極管性能的主要參數，通過本期云課...
2022
上篇我們講了IGBT的基礎知識，以及IGBT需要進行測試的參數，這篇我們來講一講該如何進...
2022
IGBT 模塊作為電能變換與控制的核心組件之一，被稱為電力電子裝置的“CPU”，高效節能...
2022
集成電路產業是信息技術產業的核心﹐是支撐經濟社會發民和保障國家安全的戰略性、基礎...
2022
第二十次全國代表大會報告中，多次提及碳達峰碳中和、可持續發展、綠色發展等關鍵詞。...
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