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●   高電壓達(dá)3500V(最大擴(kuò)展至10kV)

●   大電流達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

●   nA級(jí)漏電流μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

●   高精度測(cè)量0.1%

●   模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試

●   測(cè)試效率高，自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試

●   溫度范圍廣，支持常溫、高溫測(cè)試

●   兼容多種封裝，根據(jù)測(cè)試需求定制夾具

測(cè)試項(xiàng)目

●   集電極-發(fā)射極電壓 VCES、集電極-發(fā)射極擊穿電壓 V(BR)CES、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat

●   集電極截止電流ICES、柵極漏電流IGES

●   柵極-發(fā)射極電壓VGES、柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE（th）

●   輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

●   續(xù)流二極管壓降VF

●   I-V特性曲線(xiàn)掃描、C-V特性曲線(xiàn)掃描、等等

系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量，施加應(yīng)力時(shí)間長(zhǎng)，溫度迅速上升，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時(shí)間小于5ms，在測(cè)試過(guò)程中能夠減少待測(cè)物加電時(shí)間的發(fā)熱。

2、高壓下漏電流的測(cè)試能力無(wú)與倫比，測(cè)試覆蓋率優(yōu)于國(guó)際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書(shū)顯示，小模塊在高溫測(cè)試時(shí)漏電流一般大于5mA，而車(chē)規(guī)級(jí)三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書(shū)為例：3300V，125℃測(cè)試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測(cè)試幾乎可以完美應(yīng)對(duì)所有類(lèi)型器件的漏電流測(cè)試需求。

3、此外，VCE(sat)測(cè)試是表征 IGBT 導(dǎo)通功耗的主要參數(shù)，對(duì)開(kāi)關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時(shí)才能減小器件發(fā)熱，同時(shí)設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。

*以上規(guī)格如有更新，恕不另行通知。