光電耦合器作為一種光電隔離的器件,主要由發光器件、光接收器件以及兩者之間的耐電壓擊穿能力強的電介質透明絕緣材料組成。通常發光器件為紅外LED，光接收器件為光控晶閘管或光敏三級管。當有電流流入發光元件LED時會使LED燈發光，光透過透明絕緣材料被光接收器件接收后產生電流輸出，從而實現以光為媒介電信號的隔離傳輸。

由于它以光的形式傳輸直流或交流信號，所以具有較強的抗EMI干擾特性和電流電壓隔離能力。因此，光電耦合器被廣泛應用于開關電路、級間耦合、電氣隔離、遠距離信號傳輸等。光電耦合器的電性能參數測試主要包括試 VF、VR、IR、ICEO、VCE(sat)、ICon 以及輸入輸出曲線等。

芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測，區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一，常用的測試方法是FIMV（加電流測電壓）及FVMI（加電壓測電流），測試參數包括開短路測試(Open/Short Test)、漏電流測試（Leakage Test）以及DC參數測試（DC Parameters Test）等。

對于細胞來說，趨電性（electrotaxis）是集體細胞遷移的機制之一，指細胞在直流電場作用下，根據細胞類型的不同，朝向陰極或陽極的方向移動。細胞在電場的作用下可以打開電壓門控的離子通道（比如Ca2+或Na+通道），隨后離子流入細胞內，并激活離子轉運蛋白發出下游信號指導細胞遷移。細胞的趨電性在胚胎發生、炎癥、傷口愈合和腫瘤轉移過程中起重要作用。

電磁繼電器主要由觸點簧片、銜鐵、線圈、鐵芯、觸點等部件組成，由線圈、鐵芯、觸點等部分組成。當線圈通電時，會在鐵芯中產生磁場，使得觸點吸合或釋放，從而開啟或關閉控制電路；固態繼電器是一種由固態電子元器件（光耦、MOS管、可控硅等）組成的無觸點式繼電器，本質是其實是一種具有開關性質的集成電路。

繼電器的性能測試主要包括電壓參數（吸合/釋放電壓、自保持/復歸電壓、動作不同步電壓、線圈瞬態抑制電壓）、電阻參數（線圈電阻、觸點接觸電阻）、時間參數（吸合時間/釋放時間、吸合回調/釋放回調時間、觸點穩定時間、動合/靜合超行程時間、吸合/釋放飛躍時間）、狀態判斷（先斷后合、中位篩選）等。

二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導 電性元器件，產品結構一般為單個PN結結構，只允許 電流從單一方向流過。發展至今，已陸續發展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流、穩 壓、保護等電路中，是電子工程上用途最廣泛的電子元 器件之一。

IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主 要參數之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性。

BJT是一種雙極型二極管，它是一個“兩結三端”電流控制器件。雙極二極管是一種電流控制器件，電子和空穴同時參與導電。BJT的種類很多。按照頻率分，有高頻管、低頻管；按照功率分，有大、中、小功率管；按照半導體材料分，有硅管、鍺管等等。

BJT電性能測試中主要測試參數包含正向壓降（VF）、反向漏電流（IR）和反向擊穿電壓（VR）、較高工作頻率（fM）、較大整流電流（IF）等參數。

MOS管是一種利用電場效應來控制其電流大小的半導體器件，主要參數有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓(VGS(th))、漏電流(IGSS、IDSS)，擊穿電壓(VDSS)、低頻互導(gm)、輸出電阻(RDS)等；直流I-V測試是表征MOSFET特性的基礎，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數，通過實驗幫助工程師提取MOSFET的基本I-V特性參數，并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。

晶閘管全稱晶體閘流管，指的是具有四層交錯P、N層的半導體器件，主要有單向晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、可關斷晶閘管（GTO）、SIT、及其他種類等。根據晶閘管的伏安特性，需要依照廠家提供的晶閘管器件數據進行測試試驗。

IGBT作為新一代功率半導體器件，IGBT具有驅動容易、控制簡單、開關頻率高、導通電壓低、通態電流大、損耗小等優點，是自動控制和功率變換的關鍵核心部件，被廣泛應用在軌道交通裝備行業、電力系統、工業變頻、風電、太陽能、電動汽車和家電產業中。

IGBT動態、靜態測試系統是IGBT模塊研發和制造過程中重要的測試系統，從晶圓、貼片到封裝完整的生產線，從實驗室到生產線的測試需求全覆蓋。合理的IGBT測試技術，不僅能夠準確測試IGBT的各項器件參數，而且能夠得到實際應用中電路參數對器件特性的影響，進而優化IGBT器件的設計。

GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors,氮化家高電子遷移率晶體管)作為寬禁帶(WBG)半導體器件的代表,相比于Si和SiC器件,具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場。由于材料上的優勢,GaN在高頻率工作狀態下具有優異的功率以及頻率特性,和較低的功率損耗。 

GaN HEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數測試)、功率特性(Load-Pull測試)。

傳統的光電轉換技術一般采用 LED 等發光器件。這種發光器件多采用邊緣發射，體積大，因此比較難以和半導體技術結合。VCSEL技術(又稱垂直腔表面發射激光 技術)成熟后，解決了發光器件和半導體技術結合的問題，因此迅速得到普及。

普賽斯高精度數字源表支持供電脈沖電流及Vcsel兩端脈沖電壓實時監測，是Vcsel失效性分析和老化對比較優解決方案。

大功率激光器在 工業與國防等各領域有著廣泛的應用，是現代激光材料加工、激光再制造、國防安全領域中必不可少的核心組件之一。隨著激光技術的發展，大功率激光器的性能也在不斷提高，許多新型激光器相繼問世。半導體激光器具有體積小、效率高、質量輕、壽命長、成本低等諸多優點,在國民經濟的許多方面起著越來越重要的作用。

但與此同時，激光器功率的急劇.上升也會給其帶來可靠性水平的下降，造成工作壽命縮短。因此，在大功率激光器的研發和生產過程中需要對其性能參數與可靠性進行深入測試。

光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成最終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態工作;測試時比較關注暗電流、反向擊穿電壓、結電容、響應度、串擾等參數。

實施光電性能參數表征分析的最佳工具之一是數字源表(SMU)，針對光電探測器單個樣品測試以及多樣品驗證測試,可直接通過單臺數字源表、多臺數字源表或插卡式源表搭建完整的測試方案。

憶阻器件有兩個典型的阻值狀態,分別是高阻態(HRS)和低阻態(LRS),高阻態具有很高的阻值,通常為幾kΩ到幾MΩ,低阻態具有較低的阻值,通常為幾百Ω。

憶阻器的阻變行為最主要是體現在它的I-V曲線圖上，不同種材料構成的憶阻器件在許多細節上存在差異,依據阻值的變化隨外加電壓或電流變化的不同,可以分為兩種,分別是線性憶阻器LM(linear memristor)以及非線性憶阻器NLM(non-linear memristor)。