中國半導體分立器件產業隨著傳統產業轉型和技術升級，在新興產業發展中發揮著不可或缺的重要作用。新材料和新技術的不斷發展應用，對半導體分立器件未來發展產生深遠的影響。在軌道交通、新能源汽車、固態照明、5G通信、物聯網、大數據中心電源、光伏逆變和消費電子等應用市場快速增長的牽引下，國產化半導體功率器件已步入進口替代的快車道。

在中國半導體行業協會統一安排下，第十六屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會于7月20日在蘇州開幕。期間，作為國內領先的半導體電性能測試儀表提供商，武漢普賽斯儀表有限公司（以下簡稱“普賽斯儀表”）在大會上展示了國內率先自主研制的數字源表，同時公司副總經理王承受邀帶來了《 3kV/4kA IGBT靜態參數測試系統方案》主題分享。

  王承，武漢普賽斯儀表有限公司副總經理，武漢理工大學信息與通信工程碩士，帶領團隊研發了國內首款源表。在微弱電流(pA)信號處理、高壓(3kV)功率放大、大電流脈沖輸出系統、信號調理電路等方面都有豐富的經驗，熟悉高功率激光器、IGBT功率器件、mini Led點測等測試領域。

普賽斯儀表是武漢普賽斯電子技術有限公司的全資子公司，一直專注于半導體的電性能測試儀表的開發、生產與銷售，致力于滿足半導體領域從材料、晶圓到器件測試用科學儀器的國產替代需求。

率先布局數字源表，突破國外品牌技術壟斷瓶頸

“源表”又被稱為源測量單元（SMU），設備可以作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。早在九十年代中期，國內開始引進數字源表，長期以來進口設備一直處于行業壟斷，國內用戶采購成本高昂，中小企業不堪重負，在近二十年的時間內，國內都沒有專門做源表的公司。而電性能參數又是評價半導體材料、芯片性能的重要指標，其中I-V測試使用最為廣泛，源表是完成I-V測試的重要設備，作為集多功能一體的精密測量儀表，隨著高速信息產業的蓬勃發展，器件特性測試對測試系統的要求越來越高。

 面對日益迫切的國產化需求，普賽斯自2015年開始立項對數字源表進行研究，對數字源表工作框架的邏輯關系、主要功能電路以及主要算法都進行了系列研究。依托領先的光學與光電技術、微弱信號處理與抗干擾技術、高速數字信號處理、核心算法與系統集成等技術平臺優勢，普賽斯率先自主研發高精度臺式數字源表，可以說是國內第一個把數字源表國產化的企業。2019年普賽斯儀表成立，而后結合市場需求推出了脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度的超大電流源、高精度高壓電源、數據采集卡等一站式國產化電性能測試儀表，產品已成功實現國產對進口產品的完全替代。

國產自主破解卡脖子難題，市場應用帶動IGBT產業發展

IGBT是功率半導體的一種，它是電子電力裝置和系統中的“CPU”、高效節能減排的主力軍。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是由BJT（雙極型三極管）和MOS(絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導通壓降兩方面的優點，是解決能源短缺和降低碳排放的關鍵支撐技術。在國際節能環保的大趨勢下，IGBT下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發電等領域發展迅速，各企業對IGBT模塊的需求逐步擴大，新興行業的加速發展也持續推動IGBT市場的高速增長，更高電壓、更低損耗、更大電流、更高可靠性將成為IGBT未來的發展趨勢。

IGBT動態、靜態測試系統是IGBT模塊研發和制造過程中重要的測試系統，從晶圓、貼片到封裝完整的生產線，從實驗室到生產線的測試需求全覆蓋。合理的IGBT測試技術，不僅能夠準確測試IGBT的各項器件參數，而且能夠得到實際應用中電路參數對器件特性的影響，進而優化IGBT器件的設計。其中靜態測試系統為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據，在IGBT自動化產線中，使用頻率高、成本占比大，因此準確測量IGBT的各種靜態參數具有極其重要的實際意義。

但在實際市場應用中，存在IGBT進口設備測試成本高，國產3kV以上高壓和1kA以上高電流IGBT模塊測試系統性能不足等，是亟需國產替代突破的典型市場痛點。普賽斯儀表專注于源表的研發創新,經過多年技術研發與創新積累，推出了PMST系列功率器件靜態參數測試系統解決方案。

普賽斯PMST功率器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態參數,電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可以測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、μΩ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。PMST功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計,方便用戶可以添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。